كشفت الكورية العملاقة سامسونج في الساعات القليلة الماضية عن وحدة ذاكرة عشوائية بسعة كبيرة جداً من نوع DDR5 وبسعة 512GB لتصنف كأكبر سعة لذاكرة وصول عشوائي RAM حتى الآن .
وتأتي الذاكرة الجديدة بتقنية معالجة متطورة تحمل الرمز HKMG في حين تصل سرعتها الى أكثر من 7200 ميجا في الثانية اي مايعادل ضعف سرعة أفضل ذاكرة من فئة DDR4 السابقة وستكون قادرة على نقل 57.6 GB من البيانات في الثانية عبر قناة واحدة فقط !
أكبر ذاكرة رام من سامسونج
الذاكرة الأكبر من ذواكر الوصول العشوائي RAM كانت من نصيب شركة سامسونج حيث ستكون قادرة على تنظيم أعباء العمل المعقدة والنطاق الترددي المرتفع في الحوسبة الفائقة والتعلم الذاتي (ML) والذكاء الإصطناعي (AI) بالإضافة إلى تطبيقات تحليل البيانات وعلى الرغم من ذلك فأنها ستكون ملائمة جداً للحواسيب الشخصية الخاصة بالألعاب المتطورة .
تتألف الذاكرة الجديدة من 8 طبقات من شرائج DRAM بسعة 16 GB وتتصل مع بعضها البعض بتقنية متطورة يرمز لها ب (TSV) .
قال يونج سو سون ، نائب رئيس تخطيط ذاكرة DRAM :سامسونج هي شركة أشباه الموصلات الوحيدة التي تتمتع بقدرات منطقية وخبرة لدمج تقنية HKMG المنطقية المتطورة في تطوير منتجات الذاكرة .ومن خلال جلب هذا النوع من ابتكار العمليات إلى تصنيع DRAM ، يمكننا أن نقدم لعملائنا حلول ذاكرة عالية الأداء وموفرة للطاقة لتشغيل أجهزة الكمبيوتر اللازمة للأبحاث الطبية والأسواق المالية والقيادة الذاتية والمدن الذكية وما بعدها.
في حين علقت شركة INTEL على الموضوع حيث قالت كارولين دوران نائبة الرئيس والمدير العام لتقنية الذاكرة والإدخال والإخراج في شركة انتل :تشترك فرق هندسة إنتل بشكل وثيق مع رواد الذاكرة مثل Samsung لتقديم ذاكرة DDR5 سريعة وموفرة للطاقة والتي تم تحسين أداءها ومتوافقة مع معالجات Intel Xeon Scalable القادمة ، والتي تحمل الاسم الرمزي Sapphire Rapids .
ما رأيكم بالذاكرة الجديدة من سامسونج ؟ شاركونا ارائكم في التعليقات .
ليست هناك تعليقات
إرسال تعليق